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IRF6892STR1PBF
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IRF6892STR1PBF
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET
IRF6892STR1PBF 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
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InfineonTechnologies
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DIRECTFET?S3C
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRF6892STR1PBF 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：HEXFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），125A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 28A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 50μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2510 pF @ 13 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），42W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DIRECTFET? S3C
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 S3C