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IRF60DM206
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRF60DM206
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
IRF60DM206 供应商
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DIRECTFET
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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DirectFET?IsometricME
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1900
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原装现货
IRF60DM206 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥22.10000剪切带（CT）4,800 : ￥10.68681卷带（TR）
- 系列：StrongIRFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.9 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 150μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：200 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6530 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DirectFET? Isometric ME
- 封装/外壳：DirectFET? Isometric ME