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IRF60B217
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRF60B217
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
IRF60B217 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
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INFINEON
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TO220
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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isc/固电半导体
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TO-220
2024+ -
1000
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无锡
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-
国产品牌isc，33年国产工厂
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
-
-
-
原装现货
-
infineon
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标准封装
24+ -
8800
-
苏州
-
-
-
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IRF60B217 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥13.44000管件
- 系列：StrongIRFET?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 36A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 50μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2230 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220AB
- 封装/外壳：TO-220-3