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IRF40H233ATMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRF40H233ATMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N-CH 40V 35A 8PQFN
IRF40H233ATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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Infineon
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PQFN8
21+ -
56000
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上海市
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一级代理原装
IRF40H233ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：StrongIRFET?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：65A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 50μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2200pF @ 20V
- 功率 - 最大值：3.8W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8-4