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IRF135S203
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRF135S203
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
IRF135S203 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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INFINEON
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D2PAK
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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InfineonTechnologies
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D2PAK(TO-263AB)
18+ -
500
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上海市
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-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
MOSFET
-
Infineon
连可连代销V -
10
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上海市
-
-
-
1
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
-
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原装现货
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INFINEON
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SMD
23+ -
5000
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上海市
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原装进口
IRF135S203 中文资料属性参数
- 现有数量：524现货
- 价格：1 : ￥23.85000剪切带（CT）800 : ￥14.12589卷带（TR）
- 系列：HEXFET?, StrongIRFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：135 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：129A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.4 毫欧 @ 77A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：270 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9700 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：441W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO263-3-2
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB