IPW65R110CFDFKSA1
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
IPW65R110CFDFKSA1
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
IPW65R110CFDFKSA1 供应商
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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INFINEON/英飞凌
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TO-247-3
21+ -
10000
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杭州
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InfineonTechnologies
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PG-TO247-3
18+ -
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上海市
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Infineon
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TO-247
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50000
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上海市
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
IPW65R110CFDFKSA1 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:240 : ¥43.83179管件
- 系列:CoolMOS?
- 包装:管件
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31.2A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 12.7A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.3mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):118 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3240 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):277.8W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:PG-TO247-3-1
- 封装/外壳:TO-247-3

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