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IPT039N15N5XTMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPT039N15N5XTMA1
单 FET，MOSFET产品简介：TRENCH >=100V PG-HSOF-8
IPT039N15N5XTMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：2,000 : ￥31.90376卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.9 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 257μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：98 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7700 pF @ 75 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：319W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-HSOF-8
- 封装/外壳：8-PowerSFN