搜索
发布采购
IPT020N10N5ATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPT020N10N5ATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
IPT020N10N5ATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
INFINEON
-
PG-HSOF-8
23+ -
6600
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
IPT020N10N5ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：8,885现货
- 价格：1 : ￥52.47000剪切带（CT）2,000 : ￥28.67955卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?5
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta），260A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2毫欧 @ 150A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 202μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：152 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：273W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-HSOF-8-1
- 封装/外壳：8-PowerSFN