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IPP50R399CPHKSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IPP50R399CPHKSA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
IPP50R399CPHKSA1 供应商
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InfineonTechnologies
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PG-TO220-3-1
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IPP50R399CPHKSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：500 : ￥9.08324管件
- 系列：CoolMOS?
- 包装：管件
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：560 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：399 毫欧 @ 4.9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 330μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：890 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：PG-TO220-3-1
- 封装/外壳：TO-220-3