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IPG20N10S4L35ATMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPG20N10S4L35ATMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N10S4L35ATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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INFINEON
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PG-TDSON-8
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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InfineonTechnologies
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PG-TDSON-8-4
18+ -
5221
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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MOSFET
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Infineon
连可连代销V -
1000
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上海市
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1
IPG20N10S4L35ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：58,360现货
- 价格：1 : ￥10.41000剪切带（CT）5,000 : ￥4.19101卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 16μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1105pF @ 25V
- 功率 - 最大值：43W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8-4