搜索
发布采购
IPG20N06S2L65ATMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPG20N06S2L65ATMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
IPG20N06S2L65ATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
INFINEON
-
PG-TDSON-8
23+ -
6600
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
IPG20N06S2L65ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：38,686现货
- 价格：1 : ￥7.71000剪切带（CT）5,000 : ￥3.10413卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：410pF @ 25V
- 功率 - 最大值：43W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8-4