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IPG20N06S2L65AAUMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPG20N06S2L65AAUMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET
IPG20N06S2L65AAUMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：OptiMOS?
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：410pF @ 25V
- 功率 - 最大值：43W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8-10