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IPD80P03P4L07ATMA2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPD80P03P4L07ATMA2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2 供应商
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- 封装/批号
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INFINEON
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PG-TO252-3
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
IPD80P03P4L07ATMA2 中文资料属性参数
- 现有数量：14,980现货
- 价格：1 : ￥15.18000剪切带（CT）2,500 : ￥6.94996卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-P2
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 130μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：+5V，-16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5700 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：88W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3-11
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63