IPD70R2K0CEAUMA1
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
IPD70R2K0CEAUMA1
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
IPD70R2K0CEAUMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Infineon
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TO-252-3, DPak
21+ -
1940
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上海市
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一级代理原装
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InfineonTechnologies
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PG-TO252-3
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
IPD70R2K0CEAUMA1 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:CoolMOS? CE
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 1A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 70μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.8 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):163 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):42W(Tc)
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-TO252-3
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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