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IPD60R600P7ATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IPD60R600P7ATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
IPD60R600P7ATMA1 供应商
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INFINEON
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23 -
22000
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上海市
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原装清仓，赔本处理
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INFINEON
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PG-TO252-3
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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InfineonTechnologies
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PG-TO252-3
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
IPD60R600P7ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：551现货
- 价格：1 : ￥11.85000剪切带（CT）2,500 : ￥5.03680卷带（TR）
- 系列：CoolMOS? P7
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 1.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 80μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：363 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：30W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63