搜索
发布采购
IPD60R380C6ATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPD60R380C6ATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPD60R380C6ATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Infineon
-
PG-TO252-3
21+ -
7500
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
InfineonTechnologies
-
PG-TO252-3
18+ -
22465
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
MOSFET
-
Infineon
连可连代销V -
201
-
上海市
-
-
-
1
-
INFINEON
-
DPAK-2
2128+ -
5000
-
上海市
-
-
IPD60R380C6ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：46,106现货
- 价格：1 : ￥17.81000剪切带（CT）2,500 : ￥8.14862卷带（TR）
- 系列：CoolMOS? C6
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 3.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 320μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63