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IPD50R650CEBTMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IPD50R650CEBTMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
IPD50R650CEBTMA1 供应商
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InfineonTechnologies
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PG-TO252-3
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IPD50R650CEBTMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥8.11000剪切带（CT）2,500 : ￥3.42994卷带（TR）
- 系列：CoolMOS? CE
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.1A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 1.8A，13V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：342 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：47W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63