搜索
发布采购
IPD14N06S280ATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IPD14N06S280ATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
IPD14N06S280ATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
InfineonTechnologies
-
PG-TO252-3
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IPD14N06S280ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：2,500 : ￥1.92006卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 14μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：293 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：47W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3-11
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63