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IPD079N06L3GBTMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IPD079N06L3GBTMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD079N06L3GBTMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
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InfineonTechnologies
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PG-TO252-3
18+ -
17117
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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MOSFET
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Infineon
连可连代销V -
7
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上海市
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1
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INFINEON
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2021+ -
28000
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苏州
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IPD079N06L3GBTMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.9 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 34μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4900 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：79W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63