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IPB60R125C6ATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IPB60R125C6ATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
IPB60R125C6ATMA1 供应商
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- 说明
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InfineonTechnologies
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D2PAK(TO-263AB)
18+ -
1111
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
IPB60R125C6ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：1,000现货
- 价格：1 : ￥50.72000剪切带（CT）1,000 : ￥26.81550卷带（TR）
- 系列：CoolMOS? C6
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 960μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：96 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2127 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：219W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO263-3
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB