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IPB03N03LB
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IPB03N03LB
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPB03N03LB 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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InfineonTechnologies
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D2PAK(TO-263AB)
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon
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TO-263-3
21+ -
1000
-
上海市
-
-
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一级代理原装
IPB03N03LB 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：59 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7624 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO263-3
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IPB03N03LB 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IPB03N03LB G
|
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
9页,282K | 查看 |