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IPA65R190C6XKSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IPA65R190C6XKSA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
IPA65R190C6XKSA1 供应商
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InfineonTechnologies
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PG-TO220整包
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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INFINEON
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原封
23+ -
10000
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上海市
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向毛主席保证原装特价
IPA65R190C6XKSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：CoolMOS?
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 7.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1620 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：34W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：PG-TO220-3-111
- 封装/外壳：TO-220-3 整包