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IMW65R048M1HXKSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IMW65R048M1HXKSA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IMW65R048M1HXKSA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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INFINEON
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PG-TO247-3
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
IMW65R048M1HXKSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：1,517现货
- 价格：1 : ￥128.31000管件
- 系列：CoolSIC? M1
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：64 毫欧 @ 20.1A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+23V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1118 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：PG-TO247-3-41
- 封装/外壳：TO-247-3