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IMBF170R650M1XTMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IMBF170R650M1XTMA1
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1 供应商
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- 封装/批号
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INFINEON
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PG-TO263-7
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
IMBF170R650M1XTMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：1,948现货
- 价格：1 : ￥56.60000剪切带（CT）1,000 : ￥32.11212卷带（TR）
- 系列：CoolSiC?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：650毫欧 @ 1.5A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8 nC @ 12 V
- Vgs（最大值）：+20V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：422 pF @ 1000 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：88W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO263-7-13
- 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA