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IGT40R070D1E8220ATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IGT40R070D1E8220ATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3
IGT40R070D1E8220ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：CoolGaN?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 2，6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：382 pF @ 320 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
- 工作温度：0°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-HSOF-8-3
- 封装/外壳：8-PowerSFN