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IGOT60R070D1E8237AUMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IGOT60R070D1E8237AUMA1
单 FET，MOSFET产品简介：GAN HV
IGOT60R070D1E8237AUMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：800 : ￥105.49004卷带（TR）
- 系列：CoolGaN?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- FET 类型：N 通道
- 技术：GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 2，6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-DSO-20-87
- 封装/外壳：20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）