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IGN1011L70
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IGN1011L70
RF FET，MOSFET产品简介：GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L70 中文资料属性参数
- 现有数量：11现货
- 价格：1 : ￥1,764.88000散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：GaN HEMT
- 配置：-
- 频率：1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益：22dB
- 电压 - 测试：50 V
- 额定电流（安培）：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：22 mA
- 功率 - 输出：80W
- 电压 - 额定：120 V
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：PL32A2
- 供应商器件封装：PL32A2