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IGN1011L1200
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IGN1011L1200
RF FET，MOSFET产品简介：GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L1200 中文资料属性参数
- 现有数量：9现货
- 价格：1 : ￥7,267.32000托盘
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：HEMT
- 配置：-
- 频率：1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益：16.8dB
- 电压 - 测试：50 V
- 额定电流（安培）：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：160 mA
- 功率 - 输出：1250W
- 电压 - 额定：180 V
- 安装类型：-
- 封装/外壳：PL84A1
- 供应商器件封装：PL84A1