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HTMN5130SSD-13
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
HTMN5130SSD-13
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
HTMN5130SSD-13 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：2,500 : ￥7.07805卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：218.7pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.7W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO