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HS8MA2TCR1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
HS8MA2TCR1
FET、MOSFET 阵列产品简介：30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
HS8MA2TCR1 中文资料属性参数
- 现有数量：840现货
- 价格：1 : ￥8.43000剪切带（CT）1,000 : ￥3.83146卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），7A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 5.5A，10V，35 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.8nC @ 10V，8.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：320pF @ 10V，365pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：DFN3333-9DC