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HS8K1TB
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
HS8K1TB
FET、MOSFET 阵列产品简介：30V NCH+NCH POWER MOSFET
HS8K1TB 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
- 询价
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ROHM
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??μ
20+ -
600
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上海市
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оо9999?
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ROHM
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HSML3030L10[3.00x3.00x0.65mm]
21+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
HS8K1TB 中文资料属性参数
- 现有数量：4,480现货
- 价格：1 : ￥7.00000剪切带（CT）3,000 : ￥2.71123卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），11A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.6mOhm @ 10A，10V，11.8mOhm @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 10V，7.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：348pF @ 15V，429pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：HSML3030L10