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HP8S36TB
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
HP8S36TB
FET、MOSFET 阵列产品简介：30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
HP8S36TB 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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TEXAS INSTRUMENTS, INC.
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49*1 CUT REEL
NA -
49
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上海市
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原装进口
HP8S36TB 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：2,500 : ￥5.64450卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：-
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A，80A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 32A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：47nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100pF @ 15V
- 功率 - 最大值：29W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-HSOP