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GE12047CCA3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
GE12047CCA3
FET、MOSFET 阵列产品简介：1200V 475A SIC HALF-BRIDGE
GE12047CCA3 中文资料属性参数
- 现有数量：10市场
- 价格：1 : ￥7,418.81000盒
- 系列：SiC Power
- 包装：盒
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：475A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.4 毫欧 @ 475A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 160mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1248nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：29300pF @ 600V
- 功率 - 最大值：1250W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（Tc）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：-