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G3R350MT12D
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
G3R350MT12D
单 FET，MOSFET产品简介：SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
G3R350MT12D 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-247
2024+ -
12000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
G3R350MT12D 中文资料属性参数
- 现有数量：12,312现货
- 价格：1 : ￥37.68000管件
- 系列：G3R?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 4A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.69V @ 2mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12 nC @ 15 V
- Vgs（最大值）：±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：334 pF @ 800 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：74W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-3
- 封装/外壳：TO-247-3