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G20N06D52
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
G20N06D52
FET、MOSFET 阵列产品简介：N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
G20N06D52 中文资料属性参数
- 现有数量：7,975现货
- 价格：1 : ￥5.64000剪切带（CT）5,000 : ￥2.02842卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1220pF @ 30V
- 功率 - 最大值：45W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（4.9x5.75）