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FS55MR12W1M1HB11NPSA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：LOW POWER EASY AG-EASY1B-3111
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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INFINEON
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AG-EASY1B
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：45现货
- 价格：1 : ￥708.26000托盘
- 系列：EasyPACK?, CoolSiC?
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：6 N 沟道（全桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：79 毫欧 @ 15A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.15V @ 6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1350pF @ 800V
- 功率 - 最大值：20mW
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：AG-EASY1B