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FS45MR12W1M1B11BOMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FS45MR12W1M1B11BOMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET MODULE 1200V 50A
FS45MR12W1M1B11BOMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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- 说明
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Infineon
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AG-EASY1BM-2
21+ -
8
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上海市
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一级代理原装
FS45MR12W1M1B11BOMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：114现货
- 价格：1 : ￥1,138.66000托盘
- 系列：CoolSiC?+
- 包装：托盘
- 产品状态：停产
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：6 N-沟道（3 相桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 25A，15V（标准）
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1840pF @ 800V
- 功率 - 最大值：20mW（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：AG-EASY1BM-2