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FQB34N20TM-AM002
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
FQB34N20TM-AM002
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
FQB34N20TM-AM002 供应商
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onsemi
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TO-263 2L (D2PAK)
21+ -
200
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上海市
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一级代理原装
FQB34N20TM-AM002 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：QFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 15.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：78 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3100 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），180W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK（TO-263）
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB