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FF6MR12KM1BOSA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FF6MR12KM1BOSA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MEDIUM POWER 62MM
FF6MR12KM1BOSA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Infineon
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AG-62MM
21+ -
8
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上海市
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一级代理原装
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
FF6MR12KM1BOSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货5市场
- 价格：1 : ￥2,758.46000散装
- 系列：CoolSiC?
- 包装：散装托盘
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.81 毫欧 @ 250A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.15V @ 80mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：496nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14700pF @ 800V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：AG-62MM