FF45MR12W1M1PB11BPSA1
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
FF45MR12W1M1PB11BPSA1
FET、MOSFET 阵列产品简介:LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2
FF45MR12W1M1PB11BPSA1 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:Digi-Key 停止提供
- 系列:CoolSiC?
- 包装:托盘
- 产品状态:Digi-Key 停止提供
- 技术:碳化硅(SiC)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A(Tj)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 25A,15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.55V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):62nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1840pF @ 800V
- 功率 - 最大值:20mW(Tc)
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:AG-EASY1BM