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FDN5632N-F085
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
FDN5632N-F085
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
FDN5632N-F085 供应商
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onsemi
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SSOT 3L
21+ -
4423
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上海市
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一级代理原装
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ORSEMI/安森美
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SOT-23-3
22+ -
668968
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上海市
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原装可开发票
FDN5632N-F085 中文资料属性参数
- 现有数量：137,016现货
- 价格：1 : ￥5.33000剪切带（CT）3,000 : ￥2.07357卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：82 毫欧 @ 1.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：475 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3