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FDMS86252L
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
FDMS86252L
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
FDMS86252L 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Onsemi
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PQFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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PQFN-8
22+ -
668915
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上海市
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原装可开发票
FDMS86252L 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥16.93000剪切带（CT）3,000 : ￥7.75296卷带（TR）
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 4.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1335 pF @ 75 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN