FDMS86202
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
FDMS86202
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
FDMS86202 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Onsemi
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PQFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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FAIRCHILD
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Power56
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装,假一赔十...
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ORSEMI/安森美
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PQFN-8
22+ -
668910
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上海市
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原装可开发票
FDMS86202 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:1 : ¥32.67000剪切带(CT)3,000 : ¥16.39474卷带(TR)
- 系列:PowerTrench?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):120 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.2 毫欧 @ 13.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):64 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4250 pF @ 60 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),156W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-PQFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN