搜索
发布采购
FDMS3604S
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
FDMS3604S
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDMS3604S 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Onsemi
-
PQFN-8
23+ -
2000
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
ON/安森美
-
SMD
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
FAIRCHILD
-
QFN
22+授权代理 -
15800
-
上海市
-
-
-
旋尔只做进口原装，假一赔十...
-
ORSEMI/安森美
-
PQFN-8
22+ -
668845
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
FDMS3604S 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥11.53000剪切带（CT）3,000 : ￥4.89603卷带（TR）
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A，23A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1785pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：Power56