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FDMS1D2N03DSD
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDMS1D2N03DSD
FET、MOSFET 阵列产品简介：PT11N 30/12 & PT11N 30/12
FDMS1D2N03DSD 供应商
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onsemi
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WDFN8
21+ -
29874
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上海市
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一级代理原装
FDMS1D2N03DSD 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.25 毫欧 @ 19A，10V，0.97 毫欧 @ 37A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 320μA，3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V，117nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1410pF @ 15V，4860pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）