搜索
发布采购
FDMS0310AS
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
FDMS0310AS
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
FDMS0310AS 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Onsemi
-
PQFN-8
23+ -
2000
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
ON/安森美
-
SMD
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
FAIRCHILD
-
QFN
22+授权代理 -
15800
-
上海市
-
-
-
旋尔只做进口原装，假一赔十...
-
ORSEMI/安森美
-
PQFN-8
22+ -
668833
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
FDMS0310AS 中文资料属性参数
- 现有数量：3,000现货
- 价格：1 : ￥7.71000剪切带（CT）3,000 : ￥3.27266卷带（TR）
- 系列：PowerTrench?, SyncFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.3 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2280 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），41W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN