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FDMD8430
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDMD8430
FET、MOSFET 阵列产品简介：FET ENGR DEV-NOT REL
FDMD8430 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共源
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），95A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.12 毫欧 @ 28A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：90nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5035pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.1W（Ta），29W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PQFN（3.3x5）