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FDG6332C-PG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDG6332C-PG
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N P-CH 20V SC70-6
FDG6332C-PG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ON/ELNAF
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SOT-363
1815+ -
643
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
FDG6332C-PG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：700mA（Ta），600mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：113pF @ 10V，114pF @ 10V
- 功率 - 最大值：300mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363