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FDG6321C-F169
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
FDG6321C-F169
FET、MOSFET 阵列产品简介：INTEGRATED CIRCUIT
FDG6321C-F169 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），410mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 10V，62pF @ 10V
- 功率 - 最大值：300mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SC-70-6