FDG6303N-F169
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
FDG6303N-F169
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
FDG6303N-F169 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 10V
- 功率 - 最大值:300mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SC-88(SC-70-6)